很多小伙伴比较关心晶体管怎么放到芯片上(芯片的晶体管怎么弄进去),本文带大家一起看看晶体管怎么放到芯片上(芯片的晶体管怎么弄进去)。
网友提问:小小芯片上的上千万个晶体管是怎么装上去的?
优质回答:追本溯源,绝大多数的芯片是从沙子中来的。沙子是如何经历千辛万苦摇身一变,成为价格不菲的芯片呢?下文具体说一说芯片是如何制作的。
沙子变成CPU要经历:制作晶圆、前工程、G/W检测、后工程、筛选封装这5个大的流程,细化之后又分为18个比较小的步骤,如上图所示,经过上述步骤后,沙子就变成了芯片。
第一步:制作晶圆严格来说,半导体的主要材料是硅元素,硅元素在地球上的储量仅次于氧元素,硅元素是制作集成电路最优质的原材料。可以说,沙漠这种能大量提供沙子的地方,已经成为优质硅元素的重要来源。
1)硅提纯
沙子的主要成分是二氧化硅,而芯片制造要用到其中的硅元素,也就是单晶硅。这一步需要将硅元素从沙子中提取出来。
目前,主要的提纯手段是将沙子和焦煤放到1800℃的环境中,二氧化硅还原成纯度为98%的单质硅,然后用氯化氢提纯出99.99%的多晶硅,接着进一步提纯99.999999999%的单晶硅。
2)制作硅锭
目前,制作硅锭的方法主要是直拉法,高温液体的硅元素中加入籽晶,提供晶体生长的中心,晶体慢慢向上提升,同时以一定的速度绕着升轴旋转,单晶硅锭就这样形成了。
3)切割硅锭
圆柱体的硅锭还不能用来制作芯片,需要将硅锭切割成1mm厚的圆片,也就是我们常说的晶圆。切割工具是“钻石锯”,价值连城啊。
下图显示了已经切割完成的晶圆,晶圆上还有一个缺口:第一是为了定出晶圆的方向,第二,为了运输拆卸方便。
4)研磨晶圆
切割出的晶圆表面不光滑,需要仔细研磨,打磨因切割造成的凹凸不平的表面。研磨后,还需要用特殊的化学技术进行清洗,最后抛光,到了这一步,晶圆才制作完成。
第二步:前工程前工程的主要流程是在晶圆上制作出带有电路的芯片,其中要用到光刻机,世界上最先进的EUV光刻机,只有荷兰的ASML能够生产。
1)涂抹光刻胶
这一步将光刻胶涂抹到晶圆上,光刻胶是一种感光材料,受到光线照射后会发生化学反应。将光刻胶滴到晶圆上,通过高速旋转均匀一致的覆盖到晶圆上,呈一层薄膜。
2)紫外线照射
这一步进入光刻工艺,需要用到光刻机,是整个CPU制作环节,最复杂、成本最高的。将紫外线通过预先设计好的电路图案磨具,照射到光刻胶上,达到电路图复制的目的。
3)光刻胶溶解
这一步主要是为了溶解经过紫外线照射的光刻胶,未被照射的部分会完整保留下来。溶解后完成的晶圆经过冲洗、热处理后进入下一个环节。
4)蚀刻
将晶圆放到特殊的蚀刻槽中,通过药剂的腐蚀作用,将暴露在药剂中的晶圆进行蚀刻。蚀刻完成后,整个晶圆的首层电路图就完成了。
目前,大多数的芯片晶体管采用了FINFET工艺,单层处理可能无法做出所需要的图案,要经过多次的“涂胶-光刻-溶解”,才能获得最终需要的3D晶体管结构,如下图所示,显示了一个晶体管的结构。
5)离子注入
蚀刻完成的晶圆,不具备芯片所需的电气特性,需要强行将离子注入到晶圆内部,用于控制内部导电类型。经过这一步,晶圆内部的某些硅原子替换成了其他院子,产生了自由电子和空穴的性能。
6)绝缘层处理
到了这一步,晶体管的雏形基本完成,利用气相沉积法在硅晶圆的表面沉积一层氧化硅膜,形成绝缘层。
7)沉淀铜层
将铜均匀的沉积到绝缘层,下一步可直接在铜层上布线。需要再次用到光刻机,对铜层进行雕刻,形成源极、漏极、栅极。
8)构建互联铜层
这一步主要是将晶体管连接起来,也需要经过铜层沉积-光刻-蚀刻开孔-沉积绝缘层等步骤,最终形成非常复杂的多层电路网络。实际最终完成的电路结构会高达几十层。
第三步:G/W检测G/W检测,用于检测晶圆上的每块芯片是否合格。通过探针,输入信号,检测输出端的信号,确定芯片是否合格。
第四步:后工程1)晶圆切片
使用0.2mm的“钻石锯”对晶圆进行切割,切割后的每一小块晶圆(指甲壳大小)都单独成为一个CPU内核,这个过程会有很多破损的芯片,被直接丢弃。
2)内核装片固定
切割完成的芯片,也就是CPU内核,无法直接使用,需要将内核固定到基片电路。
第五步:筛选封装1)封装
这一步给固定好的内核装片,安装一个可以使用的外壳,这个外壳不仅提供固定作用,还可以保护芯片,封装基板的触点与内核装片一一对应,比如intel的LGA封装技术。
2)等级筛选
新的CPU诞生了,还面临最后一道工序,需要测试每一片CPU的稳定工作频率、功耗、发热情况,在这个过程中,如果发现一些硬件方面的取消,会采用硬件屏蔽措施对CPU进行阉割,将CPU分为不同的等级,intel的i3、i5、i7就是这样产生的。
3)装箱零售
CPU经过等级筛选后,就进入装箱包装的环节了。有些进入零售渠道,有些打包出售给联想、戴尔、惠普等主机厂商,称为“散片”。
总之,芯片的制造是集多种工艺大成,我国也投入了大量的资金用于研发芯片,但是整个半导体生态链的完善,需要不断积累的过程,并不是钱能能够解决掉的问题。
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芯片其实是半导体元器件的统称,成千上万个晶体管集成地一起,我们称之为集成电路,我们平常见到的大大小小的专用IC,单片机,CPU等其实就是集成电路。集成电路有薄膜(thin-film)集成电路和厚膜(thick-film)集成电路。薄膜(thin-film)集成电路是把电路制造在半导体芯片的表面上;厚膜(thick-film)集成电路是独立的半导体体设备和被动的组件,是集成到衬底或线路板的小型化电路
芯片上的晶体管我想应该是“刻”上去的我们经常看到“我国制造不出高精密的光刻机”,“我们的芯片制造受制于人”,“新先进的ASML光刻机数亿美元一台,有钱也买不到”这样的新闻。所以我猜测芯片上成千上万的晶体管是“刻”上去的。设计、生产高端的芯片的确是非常的困难。芯片的生产是非常复杂的,网上找到一个放大再放大后的NAND Gate(与非门),大概就是下图的样子。
芯片的设计、生产虽然是相当复杂,但我们国家的发展和进步也是不可阻挡的。虽然目前在芯片设计、制造上是远远落后,但我认为用不了多久,我们一定会赶上来的。
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我们为什么那么在意光刻机呢?为什么因为没有ASML的光刻机,而备受“煎熬”呢?这里就涉及到芯片一个重要的内容——光刻。当然,我们知道的光刻机,实际上也被称为模对准曝光机,曝光系统!
意思是通过光刻机,再利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜。
所以,除了这种造价昂贵的光刻机之外,一块芯片,想要真正的实现上千万个晶体管都安装在芯片上,它一定是需要多种程序共同协作的。
通过硅原料——通过熔炼,并且经过拉晶,形成硅晶柱——并且形成硅锭以后,用钻石刀将它横切成圆片,形成硅晶圆。
我们在这块圆形片中,涂上光刻胶,然而在通过紫外线透过掩膜,刻出预先设计的电路图案——再经过蚀刻,将主要是化学物质溶解掉不需要的部分。
其实,光刻,蚀刻的过程就是晶体管注入的过程,特别是蚀刻以后,离子注入,最后切割,封装等等动作。
实际上,我们能够看到芯片制作的难度,人类在一个一个的克服,可是你也发现了一些问题,比如说我们现在缺乏的光刻机,一直在被国外垄断,因为一些外部因素,导致我们在芯片工艺中还处于劣势,比如即使现在的上海微电子,也不过是90nm的光刻机,这种劣势如果不能过够打破,终究还是被外国技术钳制。
这是我们未来很难,且必须打破的禁锢,芯片制作困难,而打破这种禁锢更困难。
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